جلسه دفاع از پایاننامه: خانم عاطفه قربانی، گروه مهندسی الکترونیک
خلاصه خبر: استفاده از لایه های خنثی الکتریکی به منظور بهینه سازی سلول های خورشیدی پروسکایتی
چکیده در این تحقیق، از روش کندوپاش واکنشی دورانی-زاویه¬ای برای لایه¬نشانی لایه نازکی از اکسید آلومینیوم روی لایه¬ی متخلخل از TiO2 استفاده شده-است. هدف از استفاده این ماده کاهش میزان ترکیب حامل¬های تولید شده در اثر تابش و در نتیجه افزایش ولتاژ مدارباز سلول¬های خورشیدی پروسکایتی است. سلول¬های خورشیدی مورد نظر در این تحقیق دارای ساختار متخلخل نرمال هستند. مشخصات فتوولتایی سلول¬های خورشیدی دارای اکسید آلومینیوم و بدون آن بررسی و مقایسه شده¬است. هم¬چنین، با تغییر ضخامت لایه¬ی اکسید، ضخامت مطلوب برای رسیدن به بهترین عملکرد سلول¬های خورشیدی به دست آمد.
ضخامت¬های5،15، 25 و 35 نانومتری از لایه¬ی اکسید آلومینیوم لایه¬نشانی شد که از این بین مشخص شد استفاده از ضخامت 15نانومتر مشخصات فتوولتایی قابل قبولی نسبت به دیگر حالت¬ها به دست می¬دهد. به طور میانگین سلو¬های خورشیدی دارای ضخامت 15 نانومتر از اکسید آلومینیوم دارای ولتاژ مدارباز 0.96 ولت، چگالی جریان 13.78 میلی آمپر بر سانتی مترمربع و بازده 8.9% است.
اثر وجود لایه اکسید آلومینیوم در بین سلول¬های خورشیدی بدون انتقال دهنده¬ی حفره نیز بررسی شده است. از آنالیزهای EDS و AFM و FE-SEM برای بررسی لایه و مشخصه چگالی جریان-ولتاژ (در تاریکی و تحت تابش) و افت ولتاژ مدارباز برای بررسی ویژگی¬های فتوولتایی سلول¬های خورشیدی ساخته شده، استفاده شده¬است.
13 اسفند 1397 / تعداد نمایش : 1732
|